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近日，以 “数智驱动，新质引领” 为主题的ACCSI 2025第八届检验检测产业峰会在上海市成功举办。胜科纳米（苏州）股份有限公司研发部前沿技术负责人乔明胜发表了题为《半导体检测智能化发展路径与行业机遇》的报告，深入剖析了智能化系统如何赋能半导体检测这一行业热点话题，为与会嘉宾带来了关于半导体检测行业的深度思考与探讨。

在半导体产业快速演进的浪潮中，随着工艺节点向纳米级不断突破，半导体器件结构日益复杂，尺寸持续缩小。从平面工艺到 FinFET①、GAA②等立体结构，再到未来的CFET③技术，器件从单面生长向双面拓展，这使得传统检测手段如光学显微镜已远远无法满足需求，电子显微镜、球差电镜等先进设备成为标配，样品制备要求也愈发严苛。然而，当前检测流程涉及送样、曲线定位、样品制备、物理分析等多个环节，需用上百种仪器，实验室建设成本从百万级跃升至亿级，运营复杂度陡增。与此同时，行业对高精度、高效率检测的需求与日俱增，智能化升级成为破解困局的关键路径。

标准化先行，筑牢智能化根基

半导体检测分析作为半导体产业链的关键环节，其服务范畴覆盖半导体全产业链客户，是驱动半导体行业技术演进与工艺革新的重要保障。随着半导体集成电路技术的快速迭代升级，分析检测面临着更高标准的要求 —— 检测流程日益复杂精密，对实验室的综合能力（如技术水平、设备精度、流程管理等）提出了更严苛的挑战。

图片说明：《半导体检测智能化发展路径与行业机遇》报告内容精选

胜科纳米研发部前沿技术负责人乔明胜强调，半导体检测智能化的首要前提是构建完善的标准体系。目前，半导体检测技术标准分散在材料、集成电路等多个领域，尚未形成统一体系，这严重制约了行业发展。他指出，需从检测流程、方法、技术要求以及第三方服务评价等维度入手，建立全链条标准体系，并将其渗透到设计、制造、工艺和可靠性验证全过程。例如，胜科纳米已着手构建内部标准体系，未来计划在行业内推广。标准化不仅能确保检测结果的准确性和可比性，更为后续数字化、智能化奠定基础，避免因标准缺失导致智能化应用偏离方向，如同 “无标则 AI 推荐大象” 的荒诞场景。

Labless引领第三方检测生态创新发展

图片说明：《半导体检测智能化发展路径与行业机遇》报告内容精选

乔明胜重点阐述了在"Labless（无自建实验室）④"模式的指导下，建立半导体第三方分析检测服务机构评价标准体系和技术标准体系的新思路，引发了与会专家的深度共鸣。在2020年底，胜科纳米董事长李晓旻提出半导体产业的第四种运营模式：Labless（无实验室运营）新概念，将产业链中的“必要非核心”研发环节从行业中剥离，成为全新的独立行业赛道。在智能化发展路径中，Labless模式成为核心亮点。这一模式借鉴半导体产业中设计与制造分离的Fabless模式，将检测环节从整体产业链中剥离，由独立第三方提供专业服务。

胜科纳米作为践行者，通过标准化、数字化和信息安全构建了独特的 Labless 服务模式，不仅提供失效分析，还涵盖辅助研发、仿真模拟、产品纠错、工艺监控等多元服务。该模式的优势在于整合行业资源，打造第三方分析测试生态圈，推动检测服务的中立性与专业性。以胜科纳米为例，其在福建、深圳、北京等集成电路产业集中地及新加坡、马来西亚设有子公司，2025 年 3 月于科创板上市，正通过举办生态圈大会等举措，联合上下游企业共探行业发展。

标准、数字、安全三位一体，共绘智能蓝图

实现半导体检测智能化，需构建标准、数字化、信息安全三位一体的支撑体系。在数字化层面，胜科纳米自主研发了私有实验室管理系统，对工作流程和数据进行拆分与数字化，提升管理效率。信息安全方面，针对半导体检测中敏感客户对数据保密的高要求，构建了涵盖网络数据安全、终端管理平台等的保障体系，同时探索数据产权在大模型应用中的解决方案。未来，胜科纳米计划将 Labless 模式打造成开放标准与平台，推动国际合作，引领行业智能化变革。 胜科纳米承担了从产品研发到量产的整个生命周期的五大功能，是半导体领域中的“芯片全科医院”。Labless并非主张一步到位完全抛弃自建实验室，Labless理念对应的具体业态目前表现为“Lab-Lite”模式，特点为保留小规模 自建实验室满足紧急和部分保密程度较高的检测需求，同时将大 部分检测分析需求委托至第三方完成。

在半导体产业竞争白热化的当下，胜科纳米提出的智能化赋能路径，以标准为基、以模式为翼、以安全为盾，为行业突破检测瓶颈、提升竞争力指明了方向。随着 Labless模式的深入实践与标准体系的逐步完善，半导体检测行业正迈向智能化新时代。

注解：

①FinFET：FinFET（Fin Field-Effect Transistor）是鳍场效应晶体管的缩写，是一种先进的晶体管架构，用于半导体设备，特别是在微处理器、图形处理单元（GPU） 和片上系统（SoC）等集成电路（IC）中。与平面场效应晶体管（FET）设计相比，FinFET 架构具有许多优势。

②GAA：全环绕栅极（GAA）是一种晶体管架构，可克服 FinFET 架构的挑战。GAA 采用 FinFET 设计并将其侧向转动，使通道是水平的而不是垂直的。与FinFET架构中的三面环绕通道不同，四面环绕栅极环绕通道，以便更好地控制晶体管开关。一套新的非常精确的工艺用于制造GAA晶体管。这支持晶体管缩放，具有更低的可变性、更高的性能和更低的功耗。

③CFET ：CFET（互补场效应晶体管 ）是一种 CMOS 工艺，其中晶体管垂直堆叠，而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面，比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）。 （互补场效应晶体管 ）是一种 CMOS 工艺，其中晶体管垂直堆叠，而不是像所有先前的逻辑工艺那样位于同一平面，比如平面工艺、FinFET、纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）。

④Labless 模式：Labless 是 Lab（实验室）与 Less（无，没有）的组合，是“无自建实验室”的运作模式，在现阶段半导体产业发展中也涵盖了“轻实验室”（Lab-Lite）模式，即未购置大量检测分析实验设备而主要委托第三方进行检测，其特点为保留小规模自建实验室满足紧急和部分保密程度较高的检测需求，同时将大部分检测分析需求委托至第三方完成，与厂内自建实验室 In-House Lab（厂内分析实验室）模式相对。

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