中国芯片产业在美技术封锁下逆势崛起，ASML四成收入依赖中国市场却被迫断供。前ASML研究部的科学家指出：光刻机无法简单复制，但中国正以强大技术团队构建自主产业链，推动全球科技公平发展。

至于我们能不能研究出属于自己的光刻机这一点，ASML的一个工程师在很早之前就说过，就算是把图纸给我们，我们都造不出来。

但是最近ASML又表态：中国不太可能独立的复制出顶尖的光刻机技术，但这只是不太可能并不绝对，因为中国企业会尝试的。

根据国家的“02专项”报告中统计的数据显示：在EUV光刻机的专利上，日本的占比是45.5％，美国的占比是30.27％，而第三则是德国占比13.5％。至于我们中国的占比仅仅为1.13％。

2023年上半年，中国已经迅速减少了516亿颗芯片的进口，价值333亿美元。为什么中国突然削减芯片进口？答案很简单，因为中国已经具备了这种能力。

作为国内最大也是最先进的晶圆代工厂，中芯国际的光刻机依然是DUV级别的，最先进的EUV光刻机依然受到限制，无法采购，这导致其7nm以下的工艺无法量产等等。

中国光刻机领域的一则消息炸翻科技圈：国产28nm光刻机量产良品率突破92%，模块化设计让维护成本比荷兰ASML设备低40%！ASML首席技术官范登布林克公开承认：“中国人确实绕过了部分专利。 ”更魔幻的是，台积电悄悄派人来谈28nm合作——当年卡我们脖子的，现在反过来求合作。

中微半导体5纳米刻蚀机打入台积电供应链，把美国应材公司逼得降价27%。

华卓精科：物镜系统的“孤勇者”，造出全球最平的玻璃镜片（平整度相当于北京市地面起伏小于1毫米）。

当ASML总裁温彼得偷偷注册微信，凌晨三点刷着抖音看中国光刻机评测时；当纽约华尔街分析师把“SMEE”拼写成“SMILE”（微笑）却引发股价暴涨时——这场持续二十年的光刻机战争，正迎来最戏剧性的转折。

在EUV光源、EUV光源控制系统以及一些重要环节中，中国企业都赢得了可喜可贺的成绩。但迄今为止，国内没有任何一个企业拿得出手一台EUV光刻机，甚至连一个参考的模型都没有拿出来。

知名通讯专家项立刚发文表示，中国的光刻机是不会有官宣的，因为只要官宣了那么招来的就是更多的制裁和限制。

有消息称，我国国产光刻机正在测试LDP技术，也就是利用激光诱导放电等离子体技术，这也是颠覆EUV的一种新技术。

2025年3月，科技媒体Wccftech的一则报道，在全球半导体领域引发关注。报道称中国国产EUV光刻机预计在第三季度进入试生产阶段，采用创新性的激光诱导放电等离子体（LDP）技术。

中国大陆市场贡献的营收占比从2024年的36.1%骤降至27%，仅用三个季度就跌去45%的采购量，这场戏剧性转折背后，藏着全球半导体产业最激烈的攻防战！

但正如王传福所说：芯片是人造的，而非神造的！尖端工业设备也同样如此，盾构机就是例子，既然国外能够研发，那么中国科学家也一定不遑多让。

哈工大公布的DPP技术路线，它采用创新的放电等离子技术，制备出了13.5nm光源，这一举颠覆了EUV的传统路径。

美国对我国半导体产业的打压进入白热化阶段。除了禁止台积电、三星为华为代工芯片，还施压ASML禁止向我国出口最先进的EUV光刻机。

我国半导体产业上演了一场“绝地求生”：一边顶着美方的技术封锁，用“拆零件、搞替代”的土办法维持现有生产线运转；另一边集中资源猛攻光刻机核心技术。而结果证明，ASML的预言正在成真——虽然我们还没追上EUV，但在DUV光刻机领域，我国确实杀出了一条路。

2024年9月，工信部公布了首款国产193nm氟化氩（ArF）光刻机。这台光刻机的分辨率≤65nm，套刻精度≤8nm，看似落后于ASML的7nm EUV光刻机，但它有两个重要意义：第一，这是我国第一台自主可控的DUV干式光刻机；第二，它打破了美方在光源技术上的垄断。

如果说上海微电子的DUV光刻机是“破冰”，那么中科院最近的突破就是“补刀”。2025年3月下旬，中科院公布固态深紫外激光技术，同样实现193nm波长输出。

从DUV光刻机自研，到固态光源突破，每一步都在打破“造不如买”的魔咒。